平成31年3月27日 「東北大学総長賞」の表彰式が学位記授与式においておこなわれ，本専攻の市野真也くん（須川・黒田研M2）が総長賞を授与されました．本学の教育目標にかない、かつ、学業成績が特に優秀であることが評価されました．おめでとうございます!!

平成31年3月27日 中央棟大会議室で「工学研究科長賞表彰式」がおこなわれ，本専攻の大塚 雄介くん（須川・黒田研M2）が平成30年度工学研究科長賞を授与されました．優れた学業成績と卓越した研究成果が評価されました．おめでとうございます!!

2018年9月5〜7日に筑波大学で開催されたヒューマンインターフェイスシンポジウム2018において，本専攻の小川 剛史さん(高橋・狩川研 D3)が下記の題目で学術奨励賞を受賞しました!!

小川 剛史・池内 航・高橋 信：タイムプレッシャー下でのヒューマンエラーの発生機構に関する実験的研究

本賞は，104件の発表の中から本件を含め5件のみに授与されるもので，優れた研究発表が評価されました．おめでとうございます!!

2019年1月25日に開催された IEEE EDS Japan Chapter 総会において，本専攻の村田真麻さんと山本将大くん(須川・黒田研 M1)が，第17回 IEEE EDS Japan Chapter Student Award を受賞しました!!

この賞は，日本国内の大学，大学院に所属する若い学生研究者のなかで，電子デバイス技術への貢献が優れて大きいと認められる者に授与されるもので，IEEE  Electron Device Society主催の重要国際学会において，第一著者として口頭発表した学生研究者の中から，毎年数名の受賞者が選考されます．

今回，電子デバイス分野の重要学会であるIEDM2018で発表した以下の論文発表が認められ，受賞に至りました．おめでとうございます!!

M. Murata, R. Kuroda, Y. Fujihara, Y. Aoyagi, H. Shibata, T. Shibaguchi, Y. Kamata, N. Miura, N. Kuriyama and S. Sugawa
A 24.3Me- Full Well Capacity CMOS Image Sensor with Lateral Overflow Integration Trench Capacitor for High Precision Near Infrared Absorption Imaging
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2018), pp.225-228, San Francisco, Dec. 2018.

M. Yamamoto, R. Kuroda, M. Suzuki, T. Goto, H. Hamori, S. Murakami, T. Yasuda and S. Sugawa
A CMOS Proximity Capacitance Image Sensor with 16μm Pixel Pitch, 0.1aF Detection Accuracy and 60 Frames Per Second
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2018), pp.660-663, San Francisco, Dec. 2018.