小川剛史さんがヒューマンインタフェース学会学術奨励賞を受賞しました!!

投稿日: 2019年3月4日投稿者: nagae

2018年9月5〜7日に筑波大学で開催されたヒューマンインターフェイスシンポジウム2018において，本専攻の小川剛史さん(高橋・狩川研 D3)が下記の題目で学術奨励賞を受賞しました!!

小川剛史・池内航・高橋信：タイムプレッシャー下でのヒューマンエラーの発生機構に関する実験的研究

本賞は，104件の発表の中から本件を含め5件のみに授与されるもので，優れた研究発表が評価されました．おめでとうございます!!

長平彰夫教授の最終講義が行なわれました

投稿日: 2019年3月1日投稿者: nagae

2019年3月1日(金) 東北大学青葉山キャンパス総合研究棟において，長平彰夫教授の最終講義「新製品開発マネジメントの過去、現在、そして未来」が行なわれました．

長平教授は，2002年の技術社会システム専攻設立以来，専攻のみならず工学研究科全体の教育・研究に多大な貢献を残されてきました．そのため，最終講義には学内外から多くの聴講者が訪れ，講義室が満員となる大盛況となりました．

最終講義では，まず，長平教授が新製品開発マネジメントにおける「成功要因研究」と「開発プロセス研究」を融合させ，特に FFE(Fuzzy Front End)と呼ばれる初期段階での要因が製品開発の成否に影響するかに注目してきた経緯が語られました．次に，そうした影響について，長平教授が，理論に留まることなく，数百社から回収された質問票に基づいて，FFEにおける各要因が製品開発の成功にどの程度影響するか，そしてその影響が時代とともにどう変化してきたかを工学的・定量的に分析した成果がご報告されました．最後に，最先端の新製品開発の実情と，これからの新製品開発マネジメントの鍵となる要因について述べられました．

最終講義の後，長平教授の長年に渡るご貢献への感謝として花束贈呈が行なわれ，技術社会システム専攻が設立された年であり長平先生が教授に昇任された年である2002年のボルドーワインが須川教授より贈られました．

長平彰夫先生，ご退職おめでとうございます!!

長平彰夫教授最終講義 (2019.3.1)

投稿日: 2019年2月5日投稿者: nagae

本専攻長平彰夫教授が，平成31年3月末でご退職されます．これに伴い，下記のとおり最終講義を開催します．

日時: 平成31年3月1日(金) 13:00〜15:00
場所: 東北大学青葉山キャンパス総合研究棟 1階講義室1 (101室)
題目: 「新製品開発マネジメントの過去、現在、そして未来」

事前登録などは不要ですので，当日，会場まで直接お越し下さい．

特設サイト「Cross-link」を公開しました!!

投稿日: 2019年2月4日投稿者: nagae

技術社会システム専攻の多彩で魅力的な教員を紹介する特設サイト「Cross-link 」が完成しました!! 記念すべき第1回は中村健二教授です!!

村田さんと山本さんが IEEE EDS Japan Chapter Student Award を受賞しました!!

投稿日: 2019年2月4日投稿者: nagae

2019年1月25日に開催された IEEE EDS Japan Chapter 総会において，本専攻の村田真麻さんと山本将大くん(須川・黒田研 M1)が，第17回 IEEE EDS Japan Chapter Student Award を受賞しました!!

この賞は，日本国内の大学，大学院に所属する若い学生研究者のなかで，電子デバイス技術への貢献が優れて大きいと認められる者に授与されるもので，IEEE Electron Device Society主催の重要国際学会において，第一著者として口頭発表した学生研究者の中から，毎年数名の受賞者が選考されます．

今回，電子デバイス分野の重要学会であるIEDM2018で発表した以下の論文発表が認められ，受賞に至りました．おめでとうございます!!

M. Murata, R. Kuroda, Y. Fujihara, Y. Aoyagi, H. Shibata, T. Shibaguchi, Y. Kamata, N. Miura, N. Kuriyama and S. Sugawa
A 24.3Me- Full Well Capacity CMOS Image Sensor with Lateral Overflow Integration Trench Capacitor for High Precision Near Infrared Absorption Imaging
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2018), pp.225-228, San Francisco, Dec. 2018.

M. Yamamoto, R. Kuroda, M. Suzuki, T. Goto, H. Hamori, S. Murakami, T. Yasuda and S. Sugawa
A CMOS Proximity Capacitance Image Sensor with 16μm Pixel Pitch, 0.1aF Detection Accuracy and 60 Frames Per Second
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2018), pp.660-663, San Francisco, Dec. 2018.

須川・黒田研究室の開発成果がプレスリリースされました!!

投稿日: 2019年1月21日投稿者: nagae

本専攻の須川・黒田研究室で開発された「高感度・高精細・リアルタイム近接容量イメージセンサ」がプレスリリースされました!!

(以下，記事要約)

近接容量イメージセンサは、指紋認証やタッチセンサー、材料内部の非破壊検査、液面レベルセンサー等に使われており、今後はフラットパネル・電子回路基板の非接触による電気検査や、細胞反応の可視化、植物活性度のモニタリング等への活用も期待されています。

須川・黒田研究室で開発されたイメージセンサーにより、絶縁材料内の微弱な誘電率の差や微小な導体の分布、導体表面の僅かな凹凸の分布を高精細な動画で可視化することが可能になります。実際に、微細な配線パターンの断線部分を非接触で特定することや、生理食塩水の水分が蒸発して食塩が再結晶化する様子を光を用いず非破壊で捉えることなど、これまで観測できなかった微小な容量分布を高精細に可視化することを実証しました。

(要約ここまで)

詳細については，下記サイトをご覧下さい：
https://www.eng.tohoku.ac.jp/news/detail-,-id,1273.html