村田さんと山本さんが IEEE EDS Japan Chapter Student Award を受賞しました!!

2019年1月25日に開催された IEEE EDS Japan Chapter 総会において,本専攻の村田真麻さんと山本将大くん(須川・黒田研 M1)が,第17回 IEEE EDS Japan Chapter Student Award を受賞しました!!

この賞は,日本国内の大学,大学院に所属する若い学生研究者のなかで,電子デバイス技術への貢献が優れて大きいと認められる者に授与されるもので,IEEE  Electron Device Society主催の重要国際学会において,第一著者として口頭発表した学生研究者の中から,毎年数名の受賞者が選考されます.

今回,電子デバイス分野の重要学会であるIEDM2018で発表した以下の論文発表が認められ,受賞に至りました.おめでとうございます!!

M. Murata, R. Kuroda, Y. Fujihara, Y. Aoyagi, H. Shibata, T. Shibaguchi, Y. Kamata, N. Miura, N. Kuriyama and S. Sugawa
A 24.3Me- Full Well Capacity CMOS Image Sensor with Lateral Overflow Integration Trench Capacitor for High Precision Near Infrared Absorption Imaging
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2018), pp.225-228, San Francisco, Dec. 2018.

M. Yamamoto, R. Kuroda, M. Suzuki, T. Goto, H. Hamori, S. Murakami, T. Yasuda and S. Sugawa
A CMOS Proximity Capacitance Image Sensor with 16μm Pixel Pitch, 0.1aF Detection Accuracy and 60 Frames Per Second
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2018), pp.660-663, San Francisco, Dec. 2018.